近年來隨著電子信息產業的發展，芯片小型化的發展趨勢明顯。但小型芯片散熱量低，工作和不工作的熱沉溫差小，熱匹配要求較低，傳統的封裝材料在性能上面已經達不到要求，氮化鋁因其優良的物理、化學、電熱性能逐漸出現在人們的視線中。

氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結構，屬六方晶系。AlN是原子晶體，屬類金剛石氮化物，最高可穩定到2200℃ 。由氮和鋁兩元素人工合成，白色或灰白色；密度：3.235g/cm3。其主要性能指標：

氮化鋁陶瓷的應用：

氮化鋁于1877年首次合成，當時作為一種固氮劑用做化肥。至19世紀80年代，人們逐漸認識到氮化鋁在電熱性能方面的特性。

氮化鋁被廣泛的應用在工業各個領域：

1、壓電裝置應用

氮化鋁具備高電阻率，高熱導率(為Al2O3的8-10倍)，與硅相近的低膨脹系數，是高溫和高功率的電子器件的理想材料。

2、電子封裝基片材料

常用的陶瓷基片材料有氧化鈹、氧化鋁、氮化鋁等，其中氧化鋁陶瓷基板的熱導率低，熱膨脹系數和硅不太匹配；氧化鈹雖然有優良的性能，但其粉末有劇毒。

在現有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，氮化硅陶瓷抗彎強度最高，耐磨性好，是綜合機械性能最好的陶瓷材料，同時其熱膨脹系數最小。而氮化鋁陶瓷具有高熱導率、好的抗熱沖擊性、高溫下依然擁有良好的力學性能?？梢哉f，從性能的角度講，氮化鋁與氮化硅是目前最適合用作電子封裝基片的材料，但他們也有個共同的問題就是價格過高。

3、應用于發光材料

氮化鋁（AlN）的直接帶隙禁帶最大寬度為6.2eV，相對于間接帶隙半導體有著更高的光電轉換效率。AlN作為重要的藍光和紫外發光材料，應用于紫外/深紫外發光二極管、紫外激光二極管以及紫外探測器等。此外，AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成連續的固溶體，其三元或四元合金可以實現其帶隙從可見波段到深紫外波段的連續可調，使其成為重要的高性能發光材料。

斯利通的陶瓷支架采用國外進口氮化鋁粉體，引進先進的DPC金屬薄膜設備，通過先進的生產工藝按照客戶定制化生產，適用于LED芯片、UVC/UVA支架、VCSEL芯片封裝、傳感器、汽車雷達、IGBT等高熱元器件產品導熱基板、熱沉材料等。散熱性能優良，電氣性能絕緣性好，優異的耐焊錫性及高附著強度，適合于高速SMT貼片回流焊接、金絲鍵合等工藝。

4、應用于襯底材料

AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底。與藍寶石或SiC襯底相比，AlN與GaN熱匹配和化學兼容性更高、襯底與外延層之間的應力更小。因此，AlN晶體作為GaN外延襯底時可大幅度降低器件中的缺陷密度，提高器件的性能，在制備高溫、高頻、高功率電子器件方面有很好的應用前景。

另外，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度，極大地提高氮化物半導體器件的性能和使用壽命?；贏lGaN的高質量日盲探測器已經獲得成功應用。

5、應用于陶瓷及耐火材料

氮化鋁可應用于結構陶瓷的燒結，制備出來的氮化鋁陶瓷，不僅機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，硬度高，還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發皿等高溫耐蝕部件。此外，純凈的AlN陶瓷為無色透明晶體，具有優異的光學性能，可以用作透明陶瓷制造電子光學器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。

6、復合材料

環氧樹脂/AlN復合材料作為封裝材料，需要良好的導熱散熱能力，且這種要求愈發嚴苛。環氧樹脂作為一種有著很好的化學性能和力學穩定性的高分子材料，它固化方便，收縮率低，但導熱能力不高。通過將導熱能力優異的AlN納米顆粒添加到環氧樹脂中，可有效提高材料的熱導率和強度。

隨著科研水平的不斷提高，氮化鋁的制備工藝日趨成熟，其應用范圍也在不斷拓展。特別是近年來國家對電子信息產業的扶持力度越來越大，隨著微電子技術的飛速發展，電子整機和電子元器件正朝著微型化、輕型化、集成化，以及高可靠性和大功率輸出等方向發展，越來越復雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求，必將進一步促進氮化鋁陶瓷基板的蓬勃發展。